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三星5纳米节点制造遇阻:当前V1产线良率尚不及50%
圈羣发表时间:2021-07-07

半导体芯片的制造绝非易事,即便是三星和英特尔这种业内大佬级公司,想要在硅制造中百尺竿头更进一步也是十分艰辛。外媒消息称,三星在5纳米节点上再次陷入困境。

之前有报道称,三星正在努力争取其5纳米节点的良率,但是近日我们得知,目前三星5纳米的良率尚低于50%,这意味着,在单个硅晶片上制造的100个芯片中,只有一半是好用的,效率堪忧。

三星5纳米节点制造遇阻:当前V1产线良率尚不及50%

通常情况下,一个节点要进入大批量制造(HVM),良率需要在95%左右。如果达不到这个水平,那么该节点的制造效率是十分有限的,同时利润也不高。位于华城市的制造三星5nm的V1生产线正在使用EUV工具制造新节点,虽然良率目前低于50%,但随着三星工程师对节点和运行该设施的工具进行调节,相信这种情况会逐渐改善。

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